Yarı iletken cihaz imalatı

[bullvar_katip]

Yarı iletken cihaz imalatı, yarı iletken cihazları, tipik olarak günlük elektrikli ve elektronik cihazlarda bulunan entegre devre (IC) yongalarında kullanılan metal oksit yarı iletken (MOS) cihazları üretmek için kullanılan süreçtir. Saf yarı iletken malzemeden yapılmış bir wafer üzerinde elektronik devrelerin kademeli olarak oluşturulduğu fotolitografik ve kimyasal işlem aşamalarının (yüzey pasivasyonu, termal oksidasyon, düzlemsel difüzyon ve bağlantı izolasyonu gibi) çok aşamalı bir dizisidir. Silisyum hemen hemen her zaman kullanılır, ancak özel uygulamalar için çeşitli bileşik yarı iletkenler kullanılır. Yıllara göre yarı iletken ölçekleri 50μm– 1960 yılları 20μm– 1960 yılları 16μm– 1960 yılları 10μm– 1971 yılı 8μm– 1972 yılı 7μm– 1973 yılı 6μm– 1974 yılı 5μm– 1975 yılı 3.5μm– 1976 yılı 3 μm– 1977 yılı 2.5μm– 1979 yılı 2μm– 1980 yılı 1.5μm– 1981 yılı 1.3μm– 1982 yılı 1.2μm– 1983 yılı 1μm– 1984 yılı 800nm– 1987 yılı 750nm– 1988 yılı 700nm– 1989 yılı 650nm– 1990 yılı 600nm– 1990 yılı 500nm– 1992 yılı 350nm– 1993 yılı 280nm– 1994 yılı 250nm– 1996 yılı 240nm– 1997 yılı 220nm– 1998 yılı 180nm– 1999 yılı 150nm– 2000 yılı 130nm– 2001 yılı 90nm– 2003 yılı 80nm– 2004 yılı 65nm– 2005 yılı 55nm– 2006 yılı 45nm– 2007 yılı 40nm– 2008 yılı 32nm– 2009 yılı 28nm– 2010 yılı 22nm– 2012 yılı 20nm– 2013 yılı 16nm– 2014 yılı 14nm– 2014 yılı 10nm– 2016 yılı 7nm– 2018 yılı 5nm– 2020 yılı 3nm– 2022 yılı 2nm~ 2024 yılı (planlanıyor) 1nm~ 2026 yılı (planlanıyor) Ayrıca bakınız Yarı iletken ölçekli örnekleri listesi NMOS PMOS Moore yasası Devre küçültme Transistör sayısı CMOS Yarı iletken sanayii Nanoelektronik Konuyla ilgili yayınlar , section 14.2. Wiki related to Chip Technology Dış bağlantılar Silicon Wafers for Semiconductor Device Fabrication Semiconductor glossary Wafer heating Designing a Heated Chuck for Semiconductor Processing Equipment Kategori:MOSFET